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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EPC2107_射频晶体管
EPC2107
授权代理品牌

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

射频晶体管

+1:

¥7.277562

+200:

¥2.819236

+500:

¥2.72089

+1000:

¥2.666254

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: EPC

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: eGaN®

零件状态: Active

FET 类型: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

FET 功能: GaNFET (Gallium Nitride)

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A, 500mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 320mOhm 2A, 5V, 3.3Ohm 2A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 100µA, 2.5V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.16nC 5V, 0.044nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 16pF 50V, 7pF 50V

功率 - 最大值: -

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 9-VFBGA

供应商器件封装: 9-BGA (1.35x1.35)

温度: -40°C # 150°C (TJ)

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
EPC2107_射频晶体管
授权代理品牌

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

射频晶体管

+2500:

¥11.262581

+5000:

¥10.839174

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: EPC

包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)

封装/外壳: *

系列: eGaN®

零件状态: Active

FET 类型: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)

FET 功能: GaNFET (Gallium Nitride)

漏源电压(Vdss): 100V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A, 500mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 320mOhm 2A, 5V, 3.3Ohm 2A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 100µA, 2.5V 20µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.16nC 5V, 0.044nC 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 16pF 50V, 7pF 50V

功率 - 最大值: -

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: 9-VFBGA

供应商器件封装: 9-BGA (1.35x1.35)

温度: -40°C # 150°C (TJ)

EPC2107_射频晶体管
授权代理品牌

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

射频晶体管

+1:

¥25.029599

+10:

¥20.751142

+100:

¥16.51337

+500:

¥13.972435

+1000:

¥11.855399

库存: 0

货期:7~10 天

系列: eGaN®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 9-VFBGA

供应商器件封装: 9-BGA (1.35x1.35)

EPC2107_射频晶体管
授权代理品牌

GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

射频晶体管

+1:

¥25.029599

+10:

¥20.751142

+100:

¥16.51337

+500:

¥13.972435

+1000:

¥11.855399

库存: 0

货期:7~10 天

系列: eGaN®

安装类型: Surface Mount

工作温度: -40°C # 150°C (TJ)

封装/外壳: 9-VFBGA

供应商器件封装: 9-BGA (1.35x1.35)

EPC2107参数规格

属性 参数值
品牌: EPC
包装: Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳: *
系列: eGaN®
零件状态: Active
FET 类型: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET 功能: GaNFET (Gallium Nitride)
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.7A, 500mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 320mOhm 2A, 5V, 3.3Ohm 2A, 5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 100µA, 2.5V 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.16nC 5V, 0.044nC 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 16pF 50V, 7pF 50V
功率 - 最大值: -
工作温度: -40°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
封装/外壳: 9-VFBGA
供应商器件封装: 9-BGA (1.35x1.35)
温度: -40°C # 150°C (TJ)