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搜索 ESH1DM RSG6 条相关记录
自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ESH1DM RSG_二极管整流器
ESH1DM RSG

DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA

二极管整流器

+1:

¥2.497755

+200:

¥0.996676

+500:

¥0.963348

+1000:

¥0.946848

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: 3pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 微型 SMA

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ESH1DM RSG_二极管整流器

DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA

二极管整流器

+3000:

¥1.944841

+6000:

¥1.845966

+9000:

¥1.714049

+30000:

¥1.674523

+75000:

¥1.631756

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: 3pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 微型 SMA

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

ESH1DM RSG_二极管整流器

DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA

二极管整流器

+1:

¥5.735522

+10:

¥4.925068

+100:

¥3.427598

+500:

¥2.676494

+1000:

¥2.175509

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: 2-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: Micro SMA

ESH1DM RSG_二极管整流器

DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA

二极管整流器

+1:

¥5.735522

+10:

¥4.925068

+100:

¥3.427598

+500:

¥2.676494

+1000:

¥2.175509

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: 2-SMD, Flat Lead

供应商器件封装: Micro SMA

Mouser
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ESH1DM RSG_二极管与整流器
ESH1DM RSG

DIODE GEN PURP 200V 1A MICRO SMA

二极管与整流器

+:

+:

+:

+:

+:

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: 3pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: 2-SMD,扁平引线

供应商器件封装: 微型 SMA

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ESH1DM RSG_未分类
ESH1DM RSG
授权代理品牌

Diode Switching 200V 1A 2-Pin Micro SMA T/R

未分类

+1:

¥0.963247

+10:

¥0.82066

+25:

¥0.812739

+50:

¥0.804818

+100:

¥0.73194

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

ESH1DM RSG参数规格

属性 参数值
品牌: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.5 V 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容: 3pF 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 2-SMD,扁平引线
供应商器件封装: 微型 SMA
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: