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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+10：￥3.136804 +100：￥2.121251 +300：￥1.557149 +750：￥1.128325 +1500：￥1.071939	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 930 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+5：￥1.100267 +50：￥1.073822 +150：￥1.056121	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 930 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥2.516792 +50：￥1.933234 +750：￥1.610257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 930 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 930 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+750：￥1.143584 +1500：￥0.929528 +2250：￥0.830939 +5250：￥0.788711 +18750：￥0.73235	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 930 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+750：￥2.797511 +1500：￥2.27387 +2250：￥2.032695 +5250：￥1.929397 +18750：￥1.791523	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 930 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥6.000787 +10：￥5.157819 +100：￥3.583328	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： DO-214AA, SMB 供应商器件封装： DO-214AA (SMB)
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥6.000787 +10：￥5.157819 +100：￥3.583328	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： DO-214AA, SMB 供应商器件封装： DO-214AA (SMB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥6.859801 +10：￥5.896163 +100：￥4.099548 +500：￥3.20124 +750：￥2.319266	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 930 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H 授权代理品牌	Diode Switching 200V 2A Automotive 2-Pin SMB T/R 下载数据手册未分类	+5250：￥1.790453 +7500：￥1.771891 +22500：￥1.754759	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ESH2DHE3_A/H参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	930 mV 2 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	2 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	30pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AA，SMB
供应商器件封装:	DO-214AA（SMB）
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: