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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+10：￥2.691936 +50：￥2.192688 +100：￥1.758816 +200：￥1.570176 +300：￥1.457424	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 930 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 930 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+750：￥1.410856 +1500：￥1.14677 +2250：￥1.02514 +5250：￥0.973045 +18750：￥0.90351	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 930 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+750：￥2.437955 +1500：￥1.981615 +2250：￥1.771439 +5250：￥1.681417 +18750：￥1.561261	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 930 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.229523 +10：￥4.4949 +100：￥3.122772	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： DO-214AA, SMB 供应商器件封装： DO-214AA (SMB)
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥5.229523 +10：￥4.4949 +100：￥3.122772	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： DO-214AA, SMB 供应商器件封装： DO-214AA (SMB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥6.64891 +10：￥5.714898 +100：￥3.973516 +500：￥2.802041 +750：￥2.247965	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 930 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 2 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 30pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH2DHE3_A/H 授权代理品牌	Diode Switching 200V 2A Automotive 2-Pin SMB T/R 下载数据手册未分类	+5250：￥1.818456 +7500：￥1.799603 +22500：￥1.782203	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ESH2DHE3_A/H参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	930 mV 2 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	2 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	30pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AA，SMB
供应商器件封装:	DO-214AA（SMB）
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: