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ES2AA-13-F_二极管整流器
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DIODE GEN PURP 50V 2A SMA

二极管整流器

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¥1.078243

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 2 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 25pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: SMA

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 2 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 25pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

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库存: 1000 +

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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

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不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 2 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 50 V

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安装类型: 表面贴装型

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ES2AA-13-F_二极管整流器
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品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

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二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 2 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 50 V

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ES2AA-13-F_未分类
ES2AA-13-F
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DIODE GEN PURP 50V 2A SMA

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品牌: Diodes Incorporated

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零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

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反向恢复时间 (trr): 25 ns

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库存: 1000 +

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电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 2 A

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反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 50 V

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库存: 1000 +

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二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 2 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 50 V

不同 Vr、F 时电容: 25pF 4V,1MHz

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货期:7~10 天

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二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V

电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 2 A

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反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 50 V

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ES2AA-13-F参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 2 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 50 V
不同 Vr、F 时电容: 25pF 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: SMA
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
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