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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH1PD-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥6.41905 +10：￥4.279286 +30：￥3.566112	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 1 A 速度： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 25pF 4V, 1MHz 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA (SMP) 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

自营现货库存

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	ESH1PD-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA 下载数据手册	+1：￥3.026854 +10：￥2.96129 +30：￥2.917581	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 1 A 速度： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 25pF 4V, 1MHz 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA (SMP) 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH1PD-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.272734	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 1 A 速度： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 25pF 4V, 1MHz 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA (SMP) 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

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	ESH1PD-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 1 A 速度： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 25pF 4V, 1MHz 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA (SMP) 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

Digi-Key

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	ESH1PD-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥3.946437 +10：￥3.830851	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 1 A 速度： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 25pF 4V, 1MHz 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA (SMP) 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：
	ESH1PD-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥3.946437 +10：￥3.830851	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： eSMP® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 175°C 封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA (SMP)

Mouser

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	ESH1PD-M3/84A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO220AA 下载数据手册二极管与整流器	+1：￥7.02313 +10：￥5.847164 +100：￥4.115881 +500：￥3.25024 +1000：￥2.466262	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装： Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列： eSMP® 零件状态： Active 二极管类型： Standard 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 1 A 速度： Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 1 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 25pF 4V, 1MHz 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： DO-220AA 供应商器件封装： DO-220AA (SMP) 工作温度 - 结： -55°C # 175°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ESH1PD-M3/84A VISHAY(威世) 授权代理品牌	Rectifiers 200volts 1.0amp 下载数据手册未分类	+3000：￥1.566216 +6000：￥1.536848 +9000：￥1.301918 +18000：￥1.272551 +30000：￥1.243184	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

ESH1PD-M3/84A参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:	eSMP®
零件状态:	Active
二极管类型:	Standard
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	900 mV 1 A
速度:	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢复时间 (trr):	25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	1 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	25pF 4V, 1MHz
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	DO-220AA
供应商器件封装:	DO-220AA (SMP)
工作温度 - 结:	-55°C # 175°C
温度: