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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES1A-13-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A SMA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.632494 +10：￥0.58384 +30：￥0.574105 +100：￥0.544911	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： SMA 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES1A-13-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A SMA 下载数据手册二极管整流器	+10：￥1.30317 +300：￥0.974655 +1000：￥0.755645 +5000：￥0.547525 +10000：￥0.520179	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： SMA 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	ES1A-13-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A SMA 下载数据手册二极管整流器	+5：￥1.499432 +50：￥1.274493 +150：￥1.049554 +500：￥0.937145 +2500：￥0.862125	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： SMA 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

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	ES1A-13-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A SMA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.65219 +100：￥0.574024	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： SMA 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

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	ES1A-13-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A SMA 下载数据手册未分类	+5000：￥0.589786 +10000：￥0.579395 +20000：￥0.568893 +25000：￥0.558503 +75000：￥0.553252	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： SMA 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	ES1A-13-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A SMA 下载数据手册未分类	+1：￥0.904219 +100：￥0.637243 +500：￥0.570947 +2500：￥0.534689 +5000：￥0.504967	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： SMA 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	ES1A-13-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A SMA 下载数据手册未分类	+5000：￥0.560627	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： SMA 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	ES1A-13-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A SMA 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： SMA 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	ES1A-13-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A SMA 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： SMA 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES1A-13-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 50V 1A SMA 下载数据手册二极管整流器	+5000：￥0.619947 +10000：￥0.54909 +25000：￥0.542024 +50000：￥0.460536 +125000：￥0.451843	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 50 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： SMA 工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

ES1A-13-F参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	50 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	920 mV 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 50 V
不同 Vr、F 时电容:	10pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AC，SMA
供应商器件封装:	SMA
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: