品牌： EPC

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eGaN®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 30A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 11mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V

Vgs（最大值）： +6V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1530 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 模具

封装/外壳： 模具

温度： -40°C # 150°C（TJ）

品牌： EPC

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列： eGaN®

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 48A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 5V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4 毫欧 30A，5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 11mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15 nC 5 V

Vgs（最大值）： +6V，-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1530 pF 50 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -40°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 模具

封装/外壳： 模具

温度： -40°C # 150°C（TJ）