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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES2BHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+750：￥1.387354 +1500：￥1.127605 +2250：￥1.059266 +5250：￥0.956756 +18750：￥0.888416	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 20 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 18pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES2BHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+750：￥2.410454 +1500：￥2.378938 +2250：￥2.33442 +3750：￥2.25655	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 20 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 18pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	ES2BHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥9.332167 +10：￥6.241844 +100：￥4.926161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AA, SMB 供应商器件封装： DO-214AA (SMB)
	ES2BHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥9.332167 +10：￥6.241844 +100：￥4.926161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AA, SMB 供应商器件封装： DO-214AA (SMB)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES2BHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA 下载数据手册未分类	+1：￥10.281394 +10：￥6.765821 +100：￥5.339692 +500：￥2.885425 +750：￥2.603515	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 100 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 900 mV 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 20 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 18pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

ES2BHE3_A/H参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	100 V
电流 - 平均整流 (Io):	2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	900 mV 2 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	20 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 50 V
不同 Vr、F 时电容:	18pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AA，SMB
供应商器件封装:	DO-214AA（SMB）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: