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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ESH2D-E3/52T_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

二极管整流器

+750:

¥1.386266

+1500:

¥1.126703

+2250:

¥1.058487

+5250:

¥0.95602

+18750:

¥0.887733

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 930 mV 2 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AA,SMB

供应商器件封装: DO-214AA(SMB)

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
ESH2D-E3/52T_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

二极管整流器

+750:

¥2.395463

+1500:

¥1.946939

+2250:

¥1.829062

+5250:

¥1.652

+18750:

¥1.534001

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 930 mV 2 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AA,SMB

供应商器件封装: DO-214AA(SMB)

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

ESH2D-E3/52T_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

二极管整流器

+1:

¥4.324608

+10:

¥3.686214

+25:

¥3.443212

+100:

¥2.556667

+250:

¥2.428782

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 175°C

封装/外壳: DO-214AA, SMB

供应商器件封装: DO-214AA (SMB)

ESH2D-E3/52T_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 175°C

封装/外壳: DO-214AA, SMB

供应商器件封装: DO-214AA (SMB)

Mouser
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ESH2D-E3/52T_二极管与整流器
ESH2D-E3/52T
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA

二极管与整流器

+1:

¥6.653999

+10:

¥5.719271

+100:

¥3.976557

+500:

¥2.978457

+750:

¥2.249686

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 2A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 930 mV 2 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 35 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AA,SMB

供应商器件封装: DO-214AA(SMB)

工作温度 - 结: -55°C # 175°C

温度:

ESH2D-E3/52T参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 930 mV 2 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 2 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AA,SMB
供应商器件封装: DO-214AA(SMB)
工作温度 - 结: -55°C # 175°C
温度: