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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EGF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥6.534 +10：￥4.356 +30：￥3.63	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EGF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册未分类	+1：￥3.398381 +10：￥2.764599 +30：￥2.458636	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EGF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+1500：￥2.961437 +3000：￥2.882834	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

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	EGF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EGF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+1500：￥1.605706 +3000：￥1.430067 +7500：￥1.354785 +10500：￥1.254428 +37500：￥1.242038	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EGF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+1500：￥3.916145 +3000：￥3.617057 +4500：￥3.463611 +7500：￥3.290431 +10500：￥3.250961	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：
	EGF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥15.910581 +10：￥9.959412 +100：￥6.512629 +500：￥5.027744	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： SUPERECTIFIER® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 175°C 封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA (GF1)
	EGF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥15.910581 +10：￥9.959412 +100：￥6.512629 +500：￥5.027744	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Digi-Reel® Alternate Packaging 系列： SUPERECTIFIER® 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -65°C # 175°C 封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA (GF1)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EGF1D-E3/67A Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA 下载数据手册未分类	+1：￥10.447223 +10：￥7.379389 +100：￥5.522104 +500：￥4.792457 +1000：￥4.029643	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： SUPERECTIFIER® 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1 V 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 50 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214BA 供应商器件封装： DO-214BA（GF1）工作温度 - 结： -65°C # 175°C 温度：

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	EGF1D-E3/67A Vishay 授权代理品牌	Rectifier Diode Switching 200V 1A 50ns 2-Pin DO-214BA T/R 下载数据手册未分类	+1：￥4.8693 +10：￥4.454495 +25：￥4.44521 +100：￥4.329126 +250：￥4.214591	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

EGF1D-E3/67A参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	SUPERECTIFIER®
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1 V 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	50 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	15pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214BA
供应商器件封装:	DO-214BA（GF1）
工作温度 - 结:	-65°C # 175°C
温度: