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	ES1DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+10：￥0.954975 +100：￥0.866003 +500：￥0.777032 +1000：￥0.688048 +2000：￥0.628734	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

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	ES1DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+10：￥1.210968 +200：￥0.818928 +500：￥0.601128 +1800：￥0.4356 +3600：￥0.41382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营现货库存

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	ES1DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册未分类	+5：￥0.780253 +50：￥0.631725 +150：￥0.557461 +500：￥0.501762	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

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	ES1DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥0.384296	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

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	ES1DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥1.545661 +100：￥0.966617 +900：￥0.839742 +1800：￥0.730462	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	ES1DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1800：￥0.493784 +3600：￥0.48527 +5400：￥0.476757 +7200：￥0.468243	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES1DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营国内现货

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	ES1DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1800：￥0.651866 +3600：￥0.600061 +5400：￥0.575122 +9000：￥0.51765 +45000：￥0.509941	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES1DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1800：￥1.724156 +3600：￥1.575608 +5400：￥1.49942 +9000：￥1.412983 +12600：￥1.361578	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 200 V 电流 - 平均整流 (Io)： 1A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 920 mV 1 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 25 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 5 µA 200 V 不同 Vr、F 时电容： 10pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AC，SMA 供应商器件封装： DO-214AC（SMA）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	ES1DHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC 下载数据手册二极管整流器	+1：￥7.95529 +10：￥4.94146 +100：￥3.140811 +500：￥2.360275	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	包装： Cut Tape (CT) Alternate Packaging 系列： Automotive, AEC-Q101 安装类型： Surface Mount 工作温度-结： -55°C # 150°C 封装/外壳： DO-214AC, SMA 供应商器件封装： DO-214AC (SMA)

ES1DHE3_A/H参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	200 V
电流 - 平均整流 (Io):	1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	920 mV 1 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	5 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容:	10pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AC，SMA
供应商器件封装:	DO-214AC（SMA）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: