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ES1DHE3_A/H_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

二极管整流器

+10:

¥0.954975

+100:

¥0.866003

+500:

¥0.777032

+1000:

¥0.688048

+2000:

¥0.628734

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

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ES1DHE3_A/H_二极管整流器
ES1DHE3_A/H
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DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

二极管整流器

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¥1.210968

+200:

¥0.818928

+500:

¥0.601128

+1800:

¥0.4356

+3600:

¥0.41382

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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自营 现货库存
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ES1DHE3_A/H_未分类
ES1DHE3_A/H
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DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

未分类

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¥0.780253

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¥0.631725

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¥0.557461

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¥0.501762

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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ES1DHE3_A/H_二极管整流器
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DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

二极管整流器

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¥0.384296

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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ES1DHE3_A/H_二极管整流器
ES1DHE3_A/H
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DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

二极管整流器

+1:

¥1.545661

+100:

¥0.966617

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¥0.839742

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¥0.730462

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

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工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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ES1DHE3_A/H_二极管整流器
ES1DHE3_A/H
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DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

二极管整流器

+1800:

¥0.493784

+3600:

¥0.48527

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¥0.476757

+7200:

¥0.468243

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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ES1DHE3_A/H_null
ES1DHE3_A/H
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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

自营 国内现货
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DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

二极管整流器

+1800:

¥0.651866

+3600:

¥0.600061

+5400:

¥0.575122

+9000:

¥0.51765

+45000:

¥0.509941

库存: 1000 +

国内:1~2 天

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封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

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二极管整流器

+1800:

¥1.724156

+3600:

¥1.575608

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¥1.49942

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¥1.412983

+12600:

¥1.361578

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 1A

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 1 A

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-214AC,SMA

供应商器件封装: DO-214AC(SMA)

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

ES1DHE3_A/H_二极管整流器
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DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC

二极管整流器

+1:

¥7.95529

+10:

¥4.94146

+100:

¥3.140811

+500:

¥2.360275

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: Automotive, AEC-Q101

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: DO-214AC, SMA

供应商器件封装: DO-214AC (SMA)

ES1DHE3_A/H参数规格

属性 参数值
品牌: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 920 mV 1 A
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-214AC,SMA
供应商器件封装: DO-214AC(SMA)
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: