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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES2GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥7.762392 +10：￥6.598009 +30：￥5.433626 +100：￥4.463327 +750：￥3.881196	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 300 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营现货库存

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	ES2GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA 下载数据手册未分类	+1：￥4.16329 +10：￥3.715272 +30：￥3.485799 +100：￥3.256326 +750：￥2.786454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 300 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

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	ES2GHE3_A/H General(通用电缆) 授权代理品牌	ES2GHE3_A/H GENERAL SEMICONDUCTOR (VISHAY) 下载数据手册未分类	+750：￥2.459259 +2250：￥2.415732 +3750：￥2.372205 +7500：￥2.328678 +15000：￥2.306915	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	ES2GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA 下载数据手册未分类	+100：￥3.509218 +500：￥2.759445 +750：￥1.939623 +10500：￥1.929568	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 300 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	ES2GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+100：￥3.73524 +500：￥2.937145 +750：￥2.064445 +10500：￥1.939773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 300 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：
	ES2GHE3_A/H General(通用电缆) 授权代理品牌	ES2GHE3_A/H GENERAL SEMICONDUCTOR (VISHAY) 下载数据手册未分类	+7500：￥2.811001 +15000：￥2.676882	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	ES2GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+1：￥1.731923 +50：￥1.630052 +100：￥1.528181 +500：￥1.42631 +750：￥1.01871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 300 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES2GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 300 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES2GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+750：￥0.993365 +1500：￥0.861485	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 300 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	ES2GHE3_A/H Vishay(威世) 授权代理品牌	DIODE GEN PURP 300V 2A DO214AA 下载数据手册二极管整流器	+750：￥2.430034 +1500：￥2.107421	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Vishay General Semiconductor - Diodes Division 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售二极管类型：标准电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 300 V 电流 - 平均整流 (Io)： 2A 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)： 1.1 V 2 A 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间 (trr)： 35 ns 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏： 10 µA 50 V 不同 Vr、F 时电容： 15pF 4V，1MHz 安装类型：表面贴装型封装/外壳： DO-214AA，SMB 供应商器件封装： DO-214AA（SMB）工作温度 - 结： -55°C # 150°C 温度：

ES2GHE3_A/H参数规格

属性	参数值
品牌:	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
二极管类型:	标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:	300 V
电流 - 平均整流 (Io):	2A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):	1.1 V 2 A
速度:	快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr):	35 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:	10 µA 50 V
不同 Vr、F 时电容:	15pF 4V，1MHz
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	DO-214AA，SMB
供应商器件封装:	DO-214AA（SMB）
工作温度 - 结:	-55°C # 150°C
温度: