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品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.488542 +200：￥1.006357 +800：￥0.740762 +3000：￥0.536998 +6000：￥0.510136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.045384 +50：￥1.363549 +150：￥1.136311	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.045384 +50：￥1.363549 +150：￥1.136311	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.925691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.264484	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.360534 +10：￥5.47271 +100：￥4.090619 +500：￥3.21419 +1000：￥2.483525	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UFDFN 供应商器件封装： 3-DFN
DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.360534 +10：￥5.47271 +100：￥4.090619 +500：￥3.21419 +1000：￥2.483525	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UFDFN 供应商器件封装： 3-DFN

Mouser

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	DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥7.153402 +10：￥6.199615 +100：￥4.628671 +500：￥3.646833 +1000：￥2.819282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN3730UFB-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	750mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	460 毫欧 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	950mV 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	64.3 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	470mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X1-DFN1006-3
封装/外壳:	3-UFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.488542 +200：￥1.006357 +800：￥0.740762 +3000：￥0.536998 +6000：￥0.510136	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.045384 +50：￥1.363549 +150：￥1.136311	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 750MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.045384 +50：￥1.363549 +150：￥1.136311	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 750mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 460 毫欧 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 950mV 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64.3 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）