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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.906521 +10：￥7.9376 +30：￥6.614707	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1808 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.176784 +10：￥7.585434 +30：￥6.429053 +100：￥5.474243 +500：￥5.315108	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1808 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1808 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.78349 +6000：￥0.750929 +9000：￥0.675824 +30000：￥0.665842 +75000：￥0.625794	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1808 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.962663 +6000：￥1.808605 +9000：￥1.729664 +15000：￥1.640472 +21000：￥1.63313	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1808 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.485154 +10：￥5.844078 +100：￥3.738986 +500：￥2.831166 +1000：￥2.53789	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)
DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.485154 +10：￥5.844078 +100：￥3.738986 +500：￥2.831166 +1000：￥2.53789	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-UDFN Exposed Pad 供应商器件封装： U-DFN2020-6 (Type F)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UFDF-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN 下载数据手册未分类	+1：￥5.804012 +10：￥4.792457 +100：￥2.719596 +1000：￥2.371354 +3000：￥1.824119	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.1A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 29 毫欧 6.4A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 20.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1808 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.03W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： U-DFN2020-6（F 类）封装/外壳： 6-UDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP2035UFDF-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 6.9A 6-Pin UDFN EP T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥2.527518 +6000：￥2.521326 +9000：￥2.513587 +12000：￥2.505847 +15000：￥2.49811	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMP2035UFDF-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.1A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	29 毫欧 6.4A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	20.5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1808 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.03W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	U-DFN2020-6（F 类）
封装/外壳:	6-UDFN 裸露焊盘
温度:	-55°C # 150°C（TJ）