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	DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.527254 +5000：￥2.343766 +7500：￥2.275598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.3A（Ta），57A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.182333 +5000：￥5.733471 +7500：￥5.566715	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.3A（Ta），57A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.380718 +10：￥11.77995 +100：￥9.165413 +500：￥7.768647 +1000：￥6.328282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.380718 +10：￥11.77995 +100：￥9.165413 +500：￥7.768647 +1000：￥6.328282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252 下载数据手册晶体管	+1：￥15.58792 +10：￥12.768827 +100：￥9.933153 +500：￥8.424111 +1000：￥6.898484	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13.3A（Ta），57A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 10 毫欧 13.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 33.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1925 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252-3 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6009LK3-13 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥6.005365	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6009LK3-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 60V, 57A, TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥9.045371 +10：￥7.411453 +100：￥5.777535 +500：￥5.123968 +1000：￥5.110896	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6009LK3-13 DIODES(美台) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 60V, 57A, TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥9.64605 +10：￥7.899028 +100：￥6.152009 +500：￥5.216105 +1000：￥5.216105	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT6009LK3-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13.3A（Ta），57A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	10 毫欧 13.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	33.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1925 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.6W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252-3
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）