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	DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.515331 +10：￥0.49488 +100：￥0.445807 +500：￥0.421265	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.798963 +100：￥0.540265 +800：￥0.396638 +3000：￥0.287375 +6000：￥0.272976	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.53409 +50：￥0.435308 +150：￥0.385916 +500：￥0.348872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.263659	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册未分类	+948：￥10.09287	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.514681 +50：￥0.347635 +1500：￥0.31418 +3000：￥0.282576 +18000：￥0.28003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+12000：￥0.305498 +30000：￥0.293574 +75000：￥0.282808 +120000：￥0.26799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.546284 +200：￥0.352729 +1500：￥0.306887 +3000：￥0.271232 +45000：￥0.268685	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.554329 +6000：￥0.541948 +9000：￥0.480037 +30000：￥0.473846 +75000：￥0.402591	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN62D0LFB-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.45 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	32 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	470mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X1-DFN1006-3
封装/外壳:	3-UFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册未分类	+948：￥10.09287	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.514681 +50：￥0.347635 +1500：￥0.31418 +3000：￥0.282576 +18000：￥0.28003	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+12000：￥0.305498 +30000：￥0.293574 +75000：￥0.282808 +120000：￥0.26799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D0LFB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 100MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.546284 +200：￥0.352729 +1500：￥0.306887 +3000：￥0.271232 +45000：￥0.268685	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 100mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.45 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 32 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 470mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）