品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

电阻器 - 基极 (R1)： -

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

电阻器 - 基极 (R1)： -

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度：

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

晶体管类型： -

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： -

电压 - 集射极击穿（最大值）： -

电阻器 - 基极 (R1)： -

电阻器 - 发射极 (R2)： -

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： -

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： -

电流 - 集电极截止（最大值）： -

频率 - 跃迁： -

功率 - 最大值： -

安装类型： -

封装/外壳： -

供应商器件封装： -

温度：