DMN61D9U-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMN61D9U-7 共 9 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D9U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.651975 +200：￥4.498417 +800：￥3.30209 +3000：￥2.392775 +6000：￥2.273106	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28.5 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN61D9U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.342737 +150：￥0.745965	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28.5 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D9U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.179345	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28.5 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D9U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28.5 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN61D9U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28.5 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN61D9U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
DMN61D9U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D9U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥5.868401 +10：￥4.303496 +100：￥2.445167 +1000：￥1.238886 +3000：￥1.075875	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 380mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28.5 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 370mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D9U-7 Diodes Zetex 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+1：￥4.988171 +10：￥3.621251 +25：￥3.583886 +50：￥3.548078 +100：￥1.995892	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN61D9U-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	380mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.4 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	28.5 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	370mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）