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	DMN3150LW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.471723 +100：￥0.995225 +800：￥0.730598 +3000：￥0.529375 +6000：￥0.502876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 28 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 88 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN3150LW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 28 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 88 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN3150LW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.760122	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 28 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 88 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3150LW-7 授权代理品牌	DMN3150LW-7 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+30：￥0.367662 +300：￥0.357475 +1000：￥0.351918 +2000：￥0.345435 +3000：￥0.336174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN3150LW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.838931 +200：￥0.541305 +1500：￥0.470111 +3000：￥0.416282 +45000：￥0.412578	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 28 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 88 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3150LW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.403432 +300：￥0.393245 +500：￥0.386531 +700：￥0.386531	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 28 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 88 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3150LW-7 授权代理品牌	DMN3150LW-7 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.424038 +50：￥0.413619 +200：￥0.406327 +500：￥0.395908 +3000：￥0.384447	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	DMN3150LW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.775453 +6000：￥0.743272 +9000：￥0.668921 +30000：￥0.659051 +75000：￥0.619393	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 28 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 88 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3150LW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.896963 +6000：￥1.818239 +9000：￥1.636358 +30000：￥1.612212 +75000：￥1.515199	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 28 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 88 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3150LW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.000918 +10：￥5.45786 +100：￥3.273287 +500：￥3.030398 +1000：￥2.060699	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SOT-323

DMN3150LW-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	28 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	88 毫欧 1.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	305 pF 5 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-323
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3150LW-7 授权代理品牌	DMN3150LW-7 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+30：￥0.367662 +300：￥0.357475 +1000：￥0.351918 +2000：￥0.345435 +3000：￥0.336174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN3150LW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.838931 +200：￥0.541305 +1500：￥0.470111 +3000：￥0.416282 +45000：￥0.412578	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 28 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 88 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3150LW-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 28V 1.6A SC70-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.403432 +300：￥0.393245 +500：￥0.386531 +700：￥0.386531	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 28 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 88 毫欧 1.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.4V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 305 pF 5 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3150LW-7 授权代理品牌	DMN3150LW-7 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+20：￥0.424038 +50：￥0.413619 +200：￥0.406327 +500：￥0.395908 +3000：￥0.384447	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数