DMN3024LSS-13厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 DMN3024LSS-13 共 18 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3024LSS-13 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMN3024LSS-13 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.254143 +200：￥1.232747 +990：￥1.211246 +2950：￥1.1791 +9830：￥1.146953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMN3024LSS-13 授权代理品牌	DMN3024LSS-13 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.412766 +30：￥1.377458 +200：￥1.330343 +4000：￥1.283227	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	DMN3024LSS-13 授权代理品牌	DMN3024LSS-13 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥1.318303 +30：￥1.263432 +200：￥1.208445 +4000：￥1.18645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥15.217527	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥26.295836	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥74.506804 +10：￥63.584081 +100：￥47.506428 +500：￥37.322842 +1000：￥28.840434	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO
	DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥26.295836	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 24 毫欧 7A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.9 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 608 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.6W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SO

DMN3024LSS-13参数规格

属性	参数值
系列:	-
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width)
供应商器件封装:	8-SO