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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.180016 +10：￥0.166169 +30：￥0.163402 +100：￥0.155089	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.41A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 106 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.219438 +100：￥0.824615 +1000：￥0.605363 +10000：￥0.438625 +20000：￥0.416724	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.41A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 106 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.161015 +50：￥0.130767 +150：￥0.113962 +500：￥0.103879 +2500：￥0.095141	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.41A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 106 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥0.710284 +50：￥0.279202 +200：￥0.137125 +1000：￥0.097917 +5000：￥0.081685	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.41A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 106 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.366947	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.41A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 106 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.897651	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.41A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 106 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.084448 +10：￥4.492135 +100：￥2.541228 +500：￥1.683192 +1000：￥1.290423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UFDFN 供应商器件封装： 3-DFN1006 (1.0x0.6)
DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.084448 +10：￥4.492135 +100：￥2.541228 +500：￥1.683192 +1000：￥1.290423	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UFDFN 供应商器件封装： 3-DFN1006 (1.0x0.6)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 12V 1.41A 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥6.139328 +10：￥4.734103 +100：￥2.687661 +500：￥1.773584 +1000：￥1.364295	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.41A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 1A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 1.5 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±6V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 106 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN1150UFB-7B参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.41A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	150 毫欧 1A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	1.5 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	106 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X1-DFN1006-3
封装/外壳:	3-UFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）