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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.231936 +100：￥2.747088 +200：￥2.262384 +500：￥2.020032 +800：￥1.85832	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.47 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 798 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.46W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.119826 +50：￥0.970232 +150：￥0.906089	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.47 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 798 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.46W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.545542	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.47 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 798 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.46W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4800LSS-13 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	N-Channel 0.011ohms@VGS = 4.5 V, ID = 9 A(typ) 13000mA SO-8 30V 4.1W 3V 下载数据手册未分类	+10：￥1.235589 +50：￥1.214327 +500：￥1.171698 +5000：￥1.139754 +30000：￥1.065181	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+50：￥1.919808 +100：￥1.275437 +1250：￥1.159488 +2500：￥1.073952	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.47 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 798 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.46W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.070362 +5000：￥1.015936 +12500：￥0.94337 +25000：￥0.921556 +62500：￥0.898087	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.47 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 798 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.46W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥1.849582 +5000：￥1.755535 +12500：￥1.63014 +25000：￥1.592447 +62500：￥1.551892	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.47 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 798 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.46W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.473604 +10：￥4.689884 +100：￥3.260527 +500：￥2.545476 +1000：￥2.069023	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP
DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.473604 +10：￥4.689884 +100：￥3.260527 +500：￥2.545476 +1000：￥2.069023	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SOIC (0.154#, 3.90mm Width) 供应商器件封装： 8-SOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN4800LSS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP 下载数据手册未分类	+1：￥6.801077 +10：￥5.962804 +100：￥4.128095 +500：￥3.242374 +1000：￥2.641349	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 16 毫欧 9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.6V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.47 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 798 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.46W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-SO 封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN4800LSS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	16 毫欧 9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.6V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.47 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	798 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.46W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-SO
封装/外壳:	8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
温度:	-55°C # 150°C（TJ）