DMP4015SPSQ-13厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥6.7276 +200：￥4.5496 +800：￥3.3396 +2500：￥2.42 +5000：￥2.299	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.272563 +10：￥3.354672 +30：￥2.895727 +100：￥2.447708 +500：￥2.174527	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.030662 +7500：￥2.954259 +12500：￥2.903324 +17500：￥2.903324	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.258208 +100：￥3.2777 +1250：￥2.843475 +2500：￥2.689394 +37500：￥2.675387	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.75247 +10：￥5.075839 +30：￥3.891357 +100：￥3.620703 +300：￥3.485262	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.208937 +2500：￥3.155455 +5000：￥3.101972 +10000：￥3.04849	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.88962 +5000：￥3.759966 +10000：￥3.695139 +20000：￥3.662726	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.879129 +6000：￥2.782352 +10000：￥2.709769 +15000：￥2.685575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.71562 +5000：￥2.542763 +7500：￥2.455585 +12500：￥2.3584 +17500：￥2.301302	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMP4015SPSQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	11 毫欧 9.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	47.5 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4234 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.3W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.030662 +7500：￥2.954259 +12500：￥2.903324 +17500：￥2.903324	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.258208 +100：￥3.2777 +1250：￥2.843475 +2500：￥2.689394 +37500：￥2.675387	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.75247 +10：￥5.075839 +30：￥3.891357 +100：￥3.620703 +300：￥3.485262	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.208937 +2500：￥3.155455 +5000：￥3.101972 +10000：￥3.04849	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.88962 +5000：￥3.759966 +10000：￥3.695139 +20000：￥3.662726	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP4015SPSQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 40V 8.5A PWRDI5060-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.879129 +6000：￥2.782352 +10000：￥2.709769 +15000：￥2.685575	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 11 毫欧 9.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 47.5 nC 5 V Vgs（最大值）： ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4234 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.3W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）