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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN53D0U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.817476 +200：￥0.552123 +800：￥0.404624 +3000：￥0.294998 +6000：￥0.280236	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN53D0U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.052579 +100：￥0.7018 +300：￥0.584793	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN53D0U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 下载数据手册未分类	+5：￥0.556078 +50：￥0.465979 +150：￥0.420929 +500：￥0.379399 +2500：￥0.35291	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN53D0U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.389015 +100：￥0.352231	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN53D0U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.346565 +6000：￥0.301335 +15000：￥0.256165 +30000：￥0.241068 +75000：￥0.226031	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN53D0U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.847789 +6000：￥0.737145 +15000：￥0.626646 +30000：￥0.589716 +75000：￥0.55293	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN53D0U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.779127 +10：￥3.968124 +100：￥2.101368 +500：￥1.382182 +1000：￥0.939897	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
DMN53D0U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.779127 +10：￥3.968124 +100：￥2.101368 +500：￥1.382182 +1000：￥0.939897	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN53D0U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 50V 300MA SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥4.911463 +10：￥4.065599 +100：￥2.155586 +500：￥1.418867 +1000：￥0.968649	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 50 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.6 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 37.1 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 520mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN53D0U-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.6 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	37.1 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	520mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）