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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.19845 +10：￥0.1764 +100：￥0.143325 +500：￥0.1323 +1000：￥0.126788	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14.1 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.418176 +100：￥0.282777 +800：￥0.207515 +3000：￥0.150403 +6000：￥0.142901	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14.1 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.64493 +100：￥0.429913 +300：￥0.358281	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14.1 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.336471 +100：￥0.269178 +300：￥0.23553	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14.1 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.30129	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14.1 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.797255 +6000：￥0.693265 +15000：￥0.589275 +30000：￥0.554614 +75000：￥0.519948	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14.1 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.539232 +10：￥3.727672 +100：￥1.975254 +500：￥1.299873 +1000：￥0.883913	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523
DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.539232 +10：￥3.727672 +100：￥1.975254 +500：￥1.299873 +1000：￥0.883913	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-523 供应商器件封装： SOT-523

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN26D0UT-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523 下载数据手册晶体管	+1：￥5.530597 +10：￥3.952749 +100：￥2.261037 +500：￥1.577846 +1000：￥1.041055	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 230mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.2V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3 欧姆 100mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 14.1 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 300mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-523 封装/外壳： SOT-523 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN26D0UT-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 20V 0.23A 3-Pin SOT-523 T/R 下载数据手册未分类	+3000：￥0.706387 +6000：￥0.497495 +15000：￥0.482377 +30000：￥0.476879 +75000：￥0.472758	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMN26D0UT-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	230mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.2V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3 欧姆 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	14.1 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	300mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-523
封装/外壳:	SOT-523
温度:	-55°C # 150°C（TJ）