DMN3033LDM-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMN3033LDM-7 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥1.471723 +200：￥0.995225 +800：￥0.730598 +3000：￥0.529375 +6000：￥0.502876	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.049693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.78568 +200：￥0.542464 +1500：￥0.491528 +3000：￥0.460967 +45000：￥0.455873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3033LDM-7 授权代理品牌	DMN3033LDM-7 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.402854 +6000：￥0.379238 +9000：￥0.356318	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN3033LDM-7 授权代理品牌	DMN3033LDM-7 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.879795 +20：￥0.842751 +200：￥0.805707 +3000：￥0.791816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.487592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.955386 +6000：￥0.906839 +9000：￥0.84201 +30000：￥0.822591	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.337128 +6000：￥2.218366 +9000：￥2.059779 +30000：￥2.012275	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.969282 +10：￥5.931002 +100：￥4.118989 +500：￥3.216396 +1000：￥2.614335	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.969282 +10：￥5.931002 +100：￥4.118989 +500：￥3.216396 +1000：￥2.614335	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 供应商器件封装： SOT-26

DMN3033LDM-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	33 毫欧 6.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	13 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	755 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-26
封装/外壳:	SOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.78568 +200：￥0.542464 +1500：￥0.491528 +3000：￥0.460967 +45000：￥0.455873	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN3033LDM-7 授权代理品牌	DMN3033LDM-7 UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.402854 +6000：￥0.379238 +9000：￥0.356318	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN3033LDM-7 授权代理品牌	DMN3033LDM-7 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.879795 +20：￥0.842751 +200：￥0.805707 +3000：￥0.791816	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMN3033LDM-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.487592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 33 毫欧 6.9A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 13 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 755 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-26 封装/外壳： SOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）