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	DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥3.994573 +200：￥2.701325 +500：￥1.982948 +2000：￥1.436875 +4000：￥1.365001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1810 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 930mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.405692 +10：￥1.971817 +30：￥1.785915 +100：￥1.553905 +500：￥1.450557	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1810 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 930mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥2.178187 +50：￥1.655404 +1000：￥1.501556 +2000：￥1.337751 +12000：￥1.325249	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1810 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 930mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥4.705248 +500：￥3.691064 +1000：￥2.854563 +2000：￥2.603624 +24000：￥2.202246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1810 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 930mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1810 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 930mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥1.320635 +6000：￥1.235427 +10000：￥1.15022 +50000：￥1.079204	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1810 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 930mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥3.230621 +6000：￥3.022181 +10000：￥2.813741 +50000：￥2.64002	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1810 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 930mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.143267 +10：￥7.818156 +100：￥5.835789 +500：￥4.585415 +1000：￥3.543215	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8
DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.143267 +10：￥7.818156 +100：￥5.835789 +500：￥4.585415 +1000：￥3.543215	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8

Mouser

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	DMN4010LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333 下载数据手册未分类	+1：￥9.698866 +10：￥8.223546 +100：￥6.147169 +500：￥4.822112 +1000：￥3.729282	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 40 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 12 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 37 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1810 pF 20 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 930mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN4010LFG-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	12 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	37 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1810 pF 20 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	930mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）