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	DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.967758 +100：￥0.653763 +1000：￥0.479039 +10000：￥0.349448 +20000：￥0.331903	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.649992 +50：￥0.532135 +150：￥0.473206 +500：￥0.429009 +2500：￥0.375975	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.674896 +100：￥0.464787 +500：￥0.424038 +2500：￥0.392203 +5000：￥0.366736	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+110：￥0.819936 +500：￥0.748051 +2500：￥0.691891 +5000：￥0.646963	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.343463 +20000：￥0.31676 +30000：￥0.303001 +50000：￥0.288492	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.84265 +20000：￥0.764626 +30000：￥0.760038 +50000：￥0.732959 +70000：￥0.72439	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.354522 +10：￥3.289207 +100：￥2.060728 +500：￥1.528029 +1000：￥1.308494	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UFDFN 供应商器件封装： X1-DFN1006-3
DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.354522 +10：￥3.289207 +100：￥2.060728 +500：￥1.528029 +1000：￥1.308494	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-UFDFN 供应商器件封装： X1-DFN1006-3

Mouser

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	DMN62D1LFB-7B Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 320MA 3DFN 下载数据手册未分类	+1：￥6.467351 +10：￥4.411065 +100：￥1.873875 +1000：￥1.160808 +2500：￥1.028144	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 320mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.9 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 64 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 500mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X1-DFN1006-3 封装/外壳： 3-UFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN62D1LFB-7B参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	320mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.9 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	64 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	500mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X1-DFN1006-3
封装/外壳:	3-UFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）