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	DTB543ZETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.883058 +100：￥0.597135 +800：￥0.438383 +3000：￥0.317625 +6000：￥0.301774	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 140 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTB543ZETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.35574	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 140 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTB543ZETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册未分类	+1：￥1.064133 +30：￥0.351709 +100：￥0.290542 +500：￥0.274307 +1500：￥0.264044	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 140 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTB543ZETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册未分类	+1：￥0.438882 +50：￥0.29596 +1500：￥0.266555 +3000：￥0.239994	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 140 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTB543ZETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册	+1：￥2.582784 +100：￥1.46448 +1000：￥0.896256 +3000：￥0.67752	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 140 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

自营国内现货

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	DTB543ZETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.580287 +6000：￥0.567331 +9000：￥0.502491 +30000：￥0.496013 +75000：￥0.421427	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 140 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

Digi-Key

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	DTB543ZETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥1.419536 +6000：￥1.387841 +9000：￥1.229226 +30000：￥1.213379 +75000：￥1.030923	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 140 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

Mouser

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	DTB543ZETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3 下载数据手册未分类	+1：￥8.003101 +10：￥5.553173 +100：￥3.462567 +1000：￥2.008942 +3000：￥1.584288	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 12 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 47 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 140 100mA，2V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 5mA，100mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 260 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

DTB543ZETL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	12 V
电阻器 - 基极 (R1):	4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	140 100mA，2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	260 MHz
功率 - 最大值:	150 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
供应商器件封装:	EMT3
温度: