DMT6008LFG-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMT6008LFG-7 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥7.56855 +200：￥5.1183 +500：￥3.75705 +2000：￥2.7225 +4000：￥2.586375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2713 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8 下载数据手册未分类	+1：￥4.906344 +10：￥3.988454 +30：￥3.518581 +100：￥3.070563 +500：￥2.786454	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2713 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.250302	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2713 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2000：￥4.748239 +4000：￥4.41534 +6000：￥4.400346	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2713 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.145649 +10：￥10.127697 +100：￥7.011365 +500：￥5.603278 +1000：￥5.140801	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8
DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.145649 +10：￥10.127697 +100：￥7.011365 +500：￥5.603278 +1000：￥5.140801	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： PowerDI3333-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6008LFG-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8 下载数据手册未分类	+1：￥13.490491 +10：￥11.871633 +100：￥9.102531 +500：￥7.199661 +1000：￥5.75121	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 13A（Ta），60A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 7.5 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 50.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2713 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），41W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI3333-8 封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT6008LFG-7 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 60V 13A 8-Pin PowerDI EP T/R 下载数据手册未分类	+2000：￥11.729326 +4000：￥11.632236 +6000：￥11.535146 +8000：￥11.438056 +10000：￥11.340967	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT6008LFG-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	13A（Ta），60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	7.5 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	50.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2713 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.2W（Ta），41W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI3333-8
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）