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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTD513ZMT2L_双极晶体管
DTD513ZMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+20:

¥0.798963

+100:

¥0.540265

+1000:

¥0.396638

+8000:

¥0.287375

+16000:

¥0.272976

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

自营 现货库存
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DTD513ZMT2L_双极晶体管
DTD513ZMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+1:

¥0.344114

+200:

¥0.133168

+500:

¥0.128487

+1000:

¥0.126175

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

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DTD513ZMT2L_双极晶体管
DTD513ZMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+1:

¥0.401927

+150:

¥0.284158

+1000:

¥0.256283

+4000:

¥0.240184

+8000:

¥0.226895

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

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DTD513ZMT2L_null
DTD513ZMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

+1:

¥5.470848

+100:

¥3.16224

+1000:

¥2.004826

+4000:

¥1.359245

+8000:

¥0.982714

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

Digi-Key
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DTD513ZMT2L_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

双极晶体管

+8000:

¥1.342442

+16000:

¥1.188967

+24000:

¥1.173634

+56000:

¥0.997232

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

Mouser
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DTD513ZMT2L_晶体管
DTD513ZMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3

晶体管

+8000:

¥1.319842

+24000:

¥1.254664

+48000:

¥1.124309

+96000:

¥1.075425

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V

电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 260 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

DTD513ZMT2L参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 500 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 12 V
电阻器 - 基极 (R1): 1 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 140 100mA,2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 5mA,100mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 260 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VMT3
温度: