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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.416757 +10：￥0.400208 +100：￥0.360518 +500：￥0.340673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.656425 +100：￥0.651222 +800：￥0.64493 +3000：￥0.467423 +6000：￥0.443949	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.234861 +100：￥0.213444	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.801655 +100：￥0.687166 +300：￥0.601271 +1000：￥0.506346 +5000：￥0.480993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.249353 +9000：￥0.243101 +15000：￥0.238818 +21000：￥0.238818	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.541305 +200：￥0.348792 +1500：￥0.303761 +3000：￥0.268801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG2302U-7 授权代理品牌	DMG2302U-7 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+50：￥0.333859 +100：￥0.322515 +500：￥0.31117	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.274241	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.827123 +200：￥0.532971 +1500：￥0.464208 +3000：￥0.410725	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.430509 +6000：￥0.423442	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMG2302U-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	90 毫欧 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	594.3 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	800mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.801655 +100：￥0.687166 +300：￥0.601271 +1000：￥0.506346 +5000：￥0.480993	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.249353 +9000：￥0.243101 +15000：￥0.238818 +21000：￥0.238818	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.541305 +200：￥0.348792 +1500：￥0.303761 +3000：￥0.268801	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG2302U-7 授权代理品牌	DMG2302U-7 VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+50：￥0.333859 +100：￥0.322515 +500：￥0.31117	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.274241	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMG2302U-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.827123 +200：￥0.532971 +1500：￥0.464208 +3000：￥0.410725	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 90 毫欧 3.6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 50µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 594.3 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 800mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）