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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.3794 +10：￥1.17249 +30：￥0.96558 +100：￥0.862125 +500：￥0.793155	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-DFN3020B (3x2)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-DFN3020B (3x2)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.942567	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-DFN3020B (3x2)

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.305768	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-DFN3020B (3x2)
	DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.51707 +10：￥5.582012 +25：￥5.207989 +100：￥3.867739 +250：￥3.674495	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-DFN3020B (3x2)
	DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-DFN3020B (3x2)
	DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.436509	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.9A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.8A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 632 pF 10 V FET 功能：肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）： 1.5W（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-DFN3020B（3x2）封装/外壳： 8-VDFN 裸露焊盘温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMS2120LFWB-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.9A 8DFN 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-VDFN Exposed Pad 供应商器件封装： 8-DFN3020B (3x2)

DMS2120LFWB-7参数规格

属性	参数值
系列:	-
工作温度:	-55°C # 150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	8-VDFN Exposed Pad
供应商器件封装:	8-DFN3020B (3x2)