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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥2.753672 +10：￥2.24009 +30：￥2.021545 +100：￥1.748363 +500：￥1.628163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥7.614857 +6000：￥7.43913 +9000：￥7.146251	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.095504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DN3135K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥8.108277	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DN3135K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.556058 +25：￥8.873209 +100：￥8.660558	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)
DN3135K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.556058 +25：￥8.873209 +100：￥8.660558	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 (TO-236)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135K1-G Microchip Technology(微芯) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3 下载数据手册未分类	+1：￥11.269673 +25：￥9.473059 +100：￥8.656416 +3000：￥8.656416	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Microchip Technology 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 350 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 72mA（Tj）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 0V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 35 欧姆 150mA，0V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： - 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 120 pF 25 V FET 功能：耗尽模式功率耗散（最大值）： 360mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135K1-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 350V, 0.072A, SOT-23-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.573234 +25：￥5.538079 +100：￥5.253411	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135K1-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	MOSFET, N CH, 350V, 0.072A, SOT-23-3 下载数据手册未分类	+1：￥6.925315 +25：￥5.815803 +100：￥5.315912	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DN3135K1-G MICROCHIP(美国微芯) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.072A 3-Pin SOT-23 T/R 下载数据手册未分类	+500：￥6.30584 +1000：￥6.26946 +3000：￥6.23308 +6000：￥6.208826 +9000：￥6.172448	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DN3135K1-G参数规格

属性	参数值
品牌:	Microchip Technology
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	72mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	0V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	35 欧姆 150mA，0V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	120 pF 25 V
FET 功能:	耗尽模式
功率耗散（最大值）:	360mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）