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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D9UWQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥1.000791 +100：￥0.676753 +1000：￥0.496826 +10000：￥0.359975 +20000：￥0.341946	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28.5 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 440mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN61D9UWQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.758289 +30000：￥0.744096 +50000：￥0.616074	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28.5 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 440mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN61D9UWQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.068771 +10：￥3.562623 +100：￥1.801587 +500：￥1.469075 +1000：￥1.090077	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SOT-323
DMN61D9UWQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.068771 +10：￥3.562623 +100：￥1.801587 +500：￥1.469075 +1000：￥1.090077	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： SOT-323

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D9UWQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323 下载数据手册晶体管	+1：￥4.917735 +10：￥3.715622 +100：￥2.117358 +500：￥1.407018 +1000：￥1.07917	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 400mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 50mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 28.5 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 440mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-323 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN61D9UWQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	400mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.4 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	28.5 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	440mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-323
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	-55°C # 150°C（TJ）