DMN32D2LFB4-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.88088 +100：￥0.658845 +800：￥0.510741 +3000：￥0.370139 +15000：￥0.333113	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39 pF 3 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.005752 +50：￥0.838167 +150：￥0.670582 +500：￥0.558778	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39 pF 3 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.649496 +10：￥3.129655 +30：￥2.86443 +100：￥2.662859 +500：￥2.471897	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39 pF 3 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.933127 +6000：￥0.872953	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39 pF 3 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.282675 +6000：￥2.135473	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39 pF 3 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.517069 +10：￥5.525341 +100：￥4.124172 +500：￥3.239833 +1000：￥2.503689	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1006-3
DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.922675 +10：￥2.840113	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： X2-DFN1006-3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN32D2LFB4-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 300MA 3-DFN 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 300mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.8V，4V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.2 欧姆 100mA，4V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 39 pF 3 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 350mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： X2-DFN1006-3 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN32D2LFB4-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	300mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.8V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.2 欧姆 100mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	39 pF 3 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	350mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	X2-DFN1006-3
封装/外壳:	3-XFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）