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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DDTD123EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥0.630773 +100：￥0.426525 +800：￥0.313148 +3000：￥0.226875 +6000：￥0.215501	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 39 50mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA, 50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

自营现货库存

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	DDTD123EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+10：￥0.414253 +100：￥0.340603 +300：￥0.303669	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 39 50mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA, 50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

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	DDTD123EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.47208 +200：￥0.303993 +1500：￥0.264749 +3000：￥0.233956 +45000：￥0.232567	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 39 50mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA, 50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

Digi-Key

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	DDTD123EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.797917	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 39 50mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA, 50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DDTD123EC-7-F Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 下载数据手册晶体管	+1：￥2.819092 +10：￥1.940201 +100：￥0.994974 +1000：￥0.895477 +3000：￥0.812562	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装： Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 500 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 2.2 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 2.2 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 39 50mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 2.5mA, 50mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 200 MHz 功率 - 最大值： 200 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3 温度：

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	DDTD123EC-7-F DIODES(美台) 授权代理品牌	下载数据手册未分类	+3000：￥0.293572 +12000：￥0.281302 +30000：￥0.272806 +75000：￥0.265255 +120000：￥0.252982	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DDTD123EC-7-F参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
晶体管类型:	NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	500 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	2.2 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	39 50mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 2.5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	200 MHz
功率 - 最大值:	200 mW
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装:	SOT-23-3
温度: