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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DSS4220V-7_双极性晶体管
DSS4220V-7
授权代理品牌
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¥1.186042

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¥0.801625

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¥0.428098

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¥0.406681

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 1A,2V

功率 - 最大值: 600 mW

频率 - 跃迁: 260MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

自营 国内现货
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DSS4220V-7_双极性晶体管
授权代理品牌
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¥0.449906

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 1A,2V

功率 - 最大值: 600 mW

频率 - 跃迁: 260MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

Digi-Key
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DSS4220V-7_双极性晶体管
授权代理品牌
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 1A,2V

功率 - 最大值: 600 mW

频率 - 跃迁: 260MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DSS4220V-7_双极性晶体管
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TRANS NPN 20V 2A SOT-563

双极性晶体管

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货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

DSS4220V-7_双极性晶体管
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TRANS NPN 20V 2A SOT-563

双极性晶体管

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库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

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TRANS NPN 20V 2A SOT-563

双极性晶体管

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工作温度: -55°C # 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-563, SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

Mouser
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DSS4220V-7_未分类
DSS4220V-7
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TRANS NPN 20V 2A SOT563

未分类

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¥1.039513

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¥0.916413

+24000:

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+45000:

¥0.820668

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Diodes Incorporated

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 200mA,2A

电流 - 集电极截止(最大值): 100nA

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 1A,2V

功率 - 最大值: 600 mW

频率 - 跃迁: 260MHz

工作温度: -55°C # 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-563,SOT-666

供应商器件封装: SOT-563

温度: -55°C # 150°C(TJ)

DSS4220V-7参数规格

属性 参数值
品牌: Diodes Incorporated
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 2 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 20 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 350mV 200mA,2A
电流 - 集电极截止(最大值): 100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 200 1A,2V
功率 - 最大值: 600 mW
频率 - 跃迁: 260MHz
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-563,SOT-666
供应商器件封装: SOT-563
温度: -55°C # 150°C(TJ)