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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.243813 +5000：￥2.131623 +12500：￥2.051447 +25000：￥2.030086	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），140A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43.7 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2370 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.488962 +5000：￥5.214515 +12500：￥5.018384 +25000：￥4.966127	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），140A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43.7 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2370 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.894446 +10：￥11.564282 +100：￥9.017968 +500：￥7.44919 +1000：￥5.880954	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8
DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.894446 +10：￥11.564282 +100：￥9.017968 +500：￥7.44919 +1000：￥5.880954	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： PowerDI5060-8

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3004LPS-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060 下载数据手册未分类	+2500：￥6.497802 +5000：￥6.176127 +10000：￥5.934872	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 21A（Ta），140A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.8 毫欧 20A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43.7 nC 10 V Vgs（最大值）： +20V，-16V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2370 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.7W（Ta），113W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： PowerDI5060-8 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

艾睿

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMT3004LPS-13 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI 5060 T/R 下载数据手册未分类	+2500：￥12.615979 +5000：￥12.510322 +10000：￥12.403238 +15000：￥12.296154 +20000：￥12.189068	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

DMT3004LPS-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	21A（Ta），140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.8 毫欧 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	43.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	+20V，-16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2370 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.7W（Ta），113W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	PowerDI5060-8
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）