品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2444 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2444 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2444 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2444 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2444 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2444 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2444 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）

品牌： Diodes Incorporated

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： P 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 20 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 10A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 13 毫欧 10A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.1V 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 56.9 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±12V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2444 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 2.5W（Ta）

工作温度： -55°C # 150°C（TJ）

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： 8-SO

封装/外壳： 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）

温度： -55°C # 150°C（TJ）