DMP3130L-7厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

搜索 DMP3130L-7 共 11 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3130L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥2.850881 +200：￥1.927893 +800：￥1.415216 +3000：￥1.025475 +6000：￥0.974171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP3130L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥2.562417 +50：￥1.708278 +150：￥1.423565	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3130L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 下载数据手册	+1：￥0.833019 +10：￥0.678339 +30：￥0.612033 +100：￥0.545727 +500：￥0.501594	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3130L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.428098 +100：￥0.389015	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3130L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.865959	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	DMP3130L-7 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	DMP3130L-7 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.417907 +150：￥0.401886 +12000：￥0.353614 +51000：￥0.347185 +99000：￥0.321467	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMP3130L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.705953 +6000：￥0.663194	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMP3130L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.726947 +6000：￥1.622347	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：不适用于新设计 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 77 毫欧 4.2A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.3V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12 nC 10 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 432 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMP3130L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.084448 +10：￥4.919341 +100：￥3.349035 +500：￥2.511972 +1000：￥1.88398	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3
DMP3130L-7 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.084448 +10：￥4.919341 +100：￥3.349035 +500：￥2.511972 +1000：￥1.88398	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23-3

DMP3130L-7参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	不适用于新设计
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	77 毫欧 4.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	432 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）