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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥4.20475 +100：￥2.8435 +1000：￥2.08725 +10000：￥1.5125 +20000：￥1.436875	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 470mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.9 pF 12 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.988983 +10：￥3.405488 +30：￥3.108437 +100：￥2.885648 +500：￥2.684077	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 470mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.9 pF 12 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥2.532 +50：￥1.659823 +200：￥1.431108 +1000：￥1.289874 +5000：￥1.217886	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 470mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.9 pF 12 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥0.897278	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 470mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.9 pF 12 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10000：￥2.194978	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 470mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.9 pF 12 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）
DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.10755 +10：￥6.034449 +100：￥4.507023 +500：￥3.541233 +1000：￥2.736406	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23
DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.10755 +10：￥6.034449 +100：￥4.507023 +500：￥3.541233 +1000：￥2.736406	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SOT-23

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DMN61D8LQ-13 Diodes Incorporated(美台) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 下载数据手册未分类	+1：￥7.100259 +10：￥6.148824 +100：￥4.600967 +500：￥3.621132 +1000：￥2.797502	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Diodes Incorporated 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 470mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 3V，5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.8 欧姆 150mA，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 0.74 nC 5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12.9 pF 12 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 390mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SOT-23-3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： -55°C # 150°C（TJ）

DMN61D8LQ-13参数规格

属性	参数值
品牌:	Diodes Incorporated
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	470mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	3V，5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.8 欧姆 150mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	0.74 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12.9 pF 12 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	390mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SOT-23-3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	-55°C # 150°C（TJ）