搜索 DMN62D0U-13 共 16 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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DMN62D0U-13 授权代理品牌 | +1: ¥0.348769 +150: ¥0.246883 +1000: ¥0.223113 +5000: ¥0.208635 +10000: ¥0.19675 | ||||
DMN62D0U-13 授权代理品牌 | +1: ¥0.417671 +500: ¥0.277599 +5000: ¥0.241944 +10000: ¥0.216476 +60000: ¥0.213929 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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DMN62D0U-13 授权代理品牌 | 1+: |
Digi-Key
DMN62D0U-13参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Diodes Incorporated |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 380mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2 欧姆 100mA,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 0.5 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 32 pF 30 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 380mW(Ta) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-23-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |