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	DTC143EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.17672 +30：￥0.17027 +100：￥0.163821 +500：￥0.150922 +1000：￥0.144472	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC143EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	数字晶体管 DTC143EETL SOT-416 下载数据手册双极晶体管	+100：￥0.268136 +500：￥0.200497 +1000：￥0.155485 +3000：￥0.112651 +15000：￥0.101398	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC143EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.138908	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC143EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTC143EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTC143EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+100：￥1.638891 +500：￥1.085477 +1000：￥0.83 +3000：￥0.649127 +9000：￥0.574643	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTC143EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+50：￥0.180705 +500：￥0.154891 +1500：￥0.135558 +5000：￥0.114142 +25000：￥0.108469	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTC143EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+50：￥0.140073 +100：￥0.127339 +500：￥0.120972 +1000：￥0.108238 +3000：￥0.095504	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTC143EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥1.023804 +200：￥0.341963 +1500：￥0.213929 +3000：￥0.147134 +45000：￥0.146439	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

自营国内现货

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	DTC143EETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.413507 +6000：￥0.372419 +9000：￥0.351468 +15000：￥0.327829 +21000：￥0.31382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA, 5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA, 10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

DTC143EETL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
晶体管类型:	NPN - Pre-Biased
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 10mA, 5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA, 10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	150 mW
安装类型:	Surface Mount
封装/外壳:	SC-75, SOT-416
供应商器件封装:	EMT3
温度: