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	DTC143XETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.292118 +10：￥0.269636 +30：￥0.265147 +100：￥0.251668	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC143XETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+20：￥1.913472 +100：￥1.62648 +300：￥1.339488 +800：￥1.100304 +3000：￥0.956736	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

自营现货库存

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	DTC143XETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册未分类	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC143XETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥0.201586	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

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	DTC143XETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册	+1：￥1.256112 +100：￥0.726048 +1500：￥0.460224 +3000：￥0.332784	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

自营国内现货

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	DTC143XETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.470716 +6000：￥0.409294 +15000：￥0.347872 +30000：￥0.327421 +75000：￥0.30697	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTC143XETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+3000：￥0.813396 +6000：￥0.707258 +15000：￥0.601122 +30000：￥0.565782 +75000：￥0.530443	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：
	DTC143XETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥4.695288 +10：￥3.805654 +100：￥2.015268 +500：￥1.326046 +1000：￥0.901742	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3
	DTC143XETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册双极晶体管	+10：￥0.32932 +100：￥0.251226 +300：￥0.236881 +1000：￥0.222538 +5000：￥0.216163	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： NPN - Pre-Biased 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-75, SOT-416 供应商器件封装： EMT3

Mouser

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	DTC143XETL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3 下载数据手册未分类	+1：￥4.897971 +10：￥3.700689 +100：￥2.095243 +500：￥1.387758 +1000：￥1.074832	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： NPN - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 10 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SC-75，SOT-416 供应商器件封装： EMT3 温度：

DTC143XETL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	150 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SC-75，SOT-416
供应商器件封装:	EMT3
温度: