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自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA114YMT2L_双极晶体管
DTA114YMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

双极晶体管

+1:

¥0.727151

+200:

¥0.29014

+500:

¥0.280443

+1000:

¥0.275653

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA114YMT2L_null
DTA114YMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

+1:

¥2.295648

+100:

¥1.301616

+1000:

¥0.825264

+4000:

¥0.55944

+8000:

¥0.41688

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA114YMT2L_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

双极晶体管

+8000:

¥0.350727

+16000:

¥0.290802

+24000:

¥0.285663

+56000:

¥0.256635

+200000:

¥0.22241

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA114YMT2L_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

双极晶体管

+8000:

¥0.85797

+16000:

¥0.711379

+24000:

¥0.698806

+56000:

¥0.627797

+200000:

¥0.544072

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

DTA114YMT2L_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

双极晶体管

+1:

¥5.429283

+10:

¥3.771923

+100:

¥1.841672

+500:

¥1.535917

+1000:

¥1.067141

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

DTA114YMT2L_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

双极晶体管

+1:

¥5.429283

+10:

¥3.771923

+100:

¥1.841672

+500:

¥1.535917

+1000:

¥1.067141

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA114YMT2L_未分类
DTA114YMT2L
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3

未分类

+1:

¥6.206487

+10:

¥3.397236

+100:

¥1.616955

+1000:

¥1.061636

+2500:

¥0.849309

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VMT3

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA114YMT2L_未分类
DTA114YMT2L
授权代理品牌

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R

未分类

+1174:

¥0.256976

+2000:

¥0.242483

+8000:

¥0.231857

+16000:

¥0.226061

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
DTA114YMT2L_未分类
DTA114YMT2L
授权代理品牌

Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin VMT T/R

未分类

+667:

¥1.093586

+1000:

¥1.058807

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
DTA114YMT2L_未分类
DTA114YMT2L
授权代理品牌
+50:

¥0.236666

+100:

¥0.217504

+200:

¥0.216545

+500:

¥0.205045

+1000:

¥0.204088

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

DTA114YMT2L参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 68 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 250µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VMT3
温度: