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DTB123ESTP参数规格
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Rohm Semiconductor |
| 包装: | Tape & Box (TB) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | Obsolete |
| 晶体管类型: | PNP - Pre-Biased |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值): | 500 mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值): | 50 V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 2.2 kOhms |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 2.2 kOhms |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): | 39 50mA, 5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): | 300mV 2.5mA, 50mA |
| 电流 - 集电极截止(最大值): | 500nA |
| 频率 - 跃迁: | 200 MHz |
| 功率 - 最大值: | 300 mW |
| 安装类型: | Through Hole |
| 封装/外壳: | SC-72 Formed Leads |
| 供应商器件封装: | SPT |
| 温度: |

