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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTA143EMT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 下载数据手册	+1：￥0.097141 +10：￥0.077567 +30：￥0.066694 +100：￥0.060168 +500：￥0.054515	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度：

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	DTA143EMT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 下载数据手册	+1：￥2.295648 +100：￥1.301616 +1000：￥0.825264 +4000：￥0.55944 +8000：￥0.41688	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度：

自营国内现货

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	DTA143EMT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 下载数据手册双极晶体管	+8000：￥0.378976 +16000：￥0.322131 +24000：￥0.303181 +56000：￥0.284233 +200000：￥0.268143	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度：

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	DTA143EMT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 下载数据手册双极晶体管	+8000：￥0.654869 +16000：￥0.55664 +24000：￥0.523896 +56000：￥0.491153 +200000：￥0.463351	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度：
	DTA143EMT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥4.324607 +10：￥3.521465 +100：￥1.86576 +500：￥1.227941 +1000：￥0.83502	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3
	DTA143EMT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 下载数据手册双极晶体管	+1：￥2.525381 +100：￥1.431874 +1000：￥0.90785 +4000：￥0.615425 +8000：￥0.458598	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 晶体管类型： Out of Bounds 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3

Mouser

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	DTA143EMT2L Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售晶体管类型： PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（最大值）： 100 mA 电压 - 集射极击穿（最大值）： 50 V 电阻器 - 基极 (R1)： 4.7 kOhms 电阻器 - 发射极 (R2)： 4.7 kOhms 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）： 30 10mA，5V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）： 300mV 500µA，10mA 电流 - 集电极截止（最大值）： 500nA 频率 - 跃迁： 250 MHz 功率 - 最大值： 150 mW 安装类型：表面贴装型封装/外壳： SOT-723 供应商器件封装： VMT3 温度：

DTA143EMT2L参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
晶体管类型:	PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:	100 mA
电压 - 集射极击穿（最大值）:	50 V
电阻器 - 基极 (R1):	4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):	4.7 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:	30 10mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）:	300mV 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）:	500nA
频率 - 跃迁:	250 MHz
功率 - 最大值:	150 mW
安装类型:	表面贴装型
封装/外壳:	SOT-723
供应商器件封装:	VMT3
温度: