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DTA114EEBTL_双极晶体管
DTA114EEBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

双极晶体管

+20:

¥0.398736

+100:

¥0.292608

+300:

¥0.238464

+500:

¥0.203904

+800:

¥0.182592

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

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DTA114EEBTL_未分类
DTA114EEBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

未分类

+6000:

¥0.160839

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

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DTA114EEBTL_null
DTA114EEBTL
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

+1:

¥0.902736

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¥0.521712

+1500:

¥0.330768

+3000:

¥0.239184

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

自营 国内现货
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DTA114EEBTL_双极晶体管
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TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

双极晶体管

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库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

Digi-Key
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TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

双极晶体管

+3000:

¥0.551922

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

DTA114EEBTL_双极晶体管
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TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

双极晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

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TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

双极晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SC-75, SOT-416

供应商器件封装: EMT3

Mouser
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DTA114EEBTL_未分类
DTA114EEBTL
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TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3

未分类

+3000:

¥0.578529

+9000:

¥0.495881

+24000:

¥0.454558

+45000:

¥0.413235

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SC-75,SOT-416

供应商器件封装: EMT3

温度:

DTA114EEBTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 10 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 20 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,10mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SC-75,SOT-416
供应商器件封装: EMT3
温度: