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DTDG23YPT100_null
DTDG23YPT100
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3

+1000:

¥3.15239

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 500mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 80 MHz

功率 - 最大值: 1.5 W

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度:

自营 国内现货
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DTDG23YPT100_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3

双极晶体管

+1000:

¥2.331737

+2000:

¥2.113172

+5000:

¥2.062267

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 500mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 80 MHz

功率 - 最大值: 1.5 W

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度:

Digi-Key
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DTDG23YPT100_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3

双极晶体管

+1000:

¥4.029233

+2000:

¥3.651553

+5000:

¥3.56359

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 500mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 80 MHz

功率 - 最大值: 1.5 W

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度:

DTDG23YPT100_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3

双极晶体管

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¥9.13741

+10:

¥8.07747

+100:

¥6.191508

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¥4.893996

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

DTDG23YPT100_双极晶体管
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TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3

双极晶体管

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¥9.13741

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¥8.07747

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¥6.191508

+500:

¥4.893996

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货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: NPN - Pre-Biased

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

Mouser
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DTDG23YPT100_未分类
DTDG23YPT100
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TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3

未分类

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¥12.18699

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¥10.054268

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¥8.274325

+250:

¥7.921545

+500:

¥6.542491

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: NPN - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A

电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V

电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 500mA,2V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,500mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 80 MHz

功率 - 最大值: 1.5 W

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: TO-243AA

供应商器件封装: MPT3

温度:

DTDG23YPT100参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 1 A
电压 - 集射极击穿(最大值): 60 V
电阻器 - 基极 (R1): 2.2 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 22 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 300 500mA,2V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 400mV 5mA,500mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 80 MHz
功率 - 最大值: 1.5 W
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-243AA
供应商器件封装: MPT3
温度: